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28nm及以后:FD-SOI、平面、FinFET之戰(zhàn)日期:2019-04-25    瀏覽次數(shù):1667次    來源:admin
 先進半導體制造產(chǎn)線的巨額投資,使FD-SOI、平面、FinFET制程之戰(zhàn)引人矚目。FD-SOI被認為是其中的黑馬,盡管實際上目前備受關注的是其在平面制程范疇中的表現(xiàn),但FD-SOI也具備升級至3D架構的能力。

事出有因:

1. 在中國,數(shù)月前由政府推出的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》中的重要一環(huán)是啟動由政府推動、社會力量參與的發(fā)展基金。該基金已于9月24日正式成立,明確重點推動半導體制造業(yè),指導思想是集中力量辦大事,擺脫阻礙整個中國半導體深入發(fā)展的制造瓶頸。

2. SamsungElectronics在近期宣布將從STMicroelectronics獲得FD-SOI制程的授權,使FD-SOI技術的話語權再度放大,半導體業(yè)界對該制程的關注度上升。業(yè)界普遍預測Samsung的FD-SOI產(chǎn)能將于2015年1季度的前期釋放。

3. UMC計劃在廈門投資12寸晶圓廠的消息在業(yè)界攪起波瀾。盡管爭議不斷,但全球晶圓大廠窺視中國半導體制造大餅的意圖已明詔。

4. 中國本土代工大廠SMIC開始進入平面28nm制程量產(chǎn)階段,而FD-SOI的最大優(yōu)勢之一在于可延續(xù)28nm的生命期。

5. FinFET產(chǎn)能目前有限,而且已釋放產(chǎn)能的產(chǎn)線正處于良率爬升期。

專注于FD-SOI制程技術的“2014上海FD-SOI論壇”于2014年9月下旬舉辦,主辦方包括SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所(SiMiT)以及VeriSilicon公司。SiMiT所長,中國科學院院士王曦再次主持了本次高峰論壇。該論壇是第二次在中國上海舉辦。

本篇文章將重點關注FD-SOI產(chǎn)業(yè)鏈的諸多環(huán)節(jié)在一年中發(fā)生的變化。

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